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Prof.Ong
职务：
教授
来源国家：
马来西亚
毕业院校QS：
105
工作单位QS：
-
主要研究方向：
电子与电气工程
技术专长：
半导体与光电器件的物理与建模
半导体中的电子输运
半导体中的冲击电离和雪崩倍增
高速电子和太赫兹技术、半导体器件建模与仿真、新型低维材料建模
专家详情：
毕业于英国谢菲尔德大学电子工程博士学位，马来西亚马来亚大学物理学硕士和荣誉理学士学位。现任工程学院教授。主要研究方向为太赫兹电子器件、半导体器件建模与仿真、新型低维材料建模。他是马来西亚物理研究所（IFM）的研究员，英国物理研究所的特许物理学家（CPhys）和英国工程委员会的特许工程师（CEng）。他也是DAAD校友和洪堡研究员。拥有专利“一种估计脉冲响应的方法”。曾参与项目“提高电动汽车锂离子电池健康状态评估的一致性”“氮化镓和氮化铟基氮化镓二极管用于太赫兹信号产生的基本限制”等。