核心领域：模拟与混合信号 VLSI 设计，面向太空、医疗成像、辐射环境及工业级应用。
主要技术方向：
数据转换器：高速/低功耗 SAR ADC、混合 Flash-SAR ADC、流水线 ADC（含分数/多位每周期转换技术）；
模拟前端与读出电路：电荷敏感放大器（用于硅粒子探测器）、陀螺仪接口 ASIC、热电冷却器控制器、锁相环与频率合成器；
信号与电源完整性：电源噪声引起的抖动（PSIJ）建模、电源分配网络（PDN）分析与非线性失真估计；
低功耗与高精度电路技术：基于动态-体偏置的比较器、离散时间参量放大器、斩波稳定放大器、自举驱动器；
抗辐射设计：面向空间与高能物理应用的 BCD 工艺 HV-CMOS 探测器前端设计。
工艺节点：精通 28nm FD-SOI、65nm、180nm 及 BCD 工艺。
专家详情：
【重要履历】获印度理工学院德里分校博士学位（研究离散时间参量放大器理论、分析与设计），并在意大利米兰大学完成博士后研究。曾任职于意法半导体（STMicroelectronics）技术研发部门，担任高级设计工程师，积累了工业级ADC设计经验。IEEE高级会员，曾获电子与信息技术部（MeitY）青年研究员基金（YFRF）及IIT Mandi青年教师奖。
【技术能力】专精于模拟与混合信号VLSI设计，核心方向包括：高速/低功耗数据转换器（SAR ADC、Flash-SAR混合架构、流水线ADC）、高性能CMOS放大器与运算放大器、前端读出电子学（用于硅粒子探测器、像素探测器及陀螺仪接口ASIC）、时钟与数据恢复电路、锁相环（PLL）及频率合成器。精通信号与电源完整性（SI/PI）分析，包括电源噪声引起的抖动建模与电源分配网络设计。研究覆盖太空电子、医疗成像、辐射环境及军事级应用等苛刻场景。
【标志性成果】发表期刊论文30余篇（含 IEEE TVLSI、TCAS-II、TED、TCPMT 等），会议论文30余篇，并持有7项已授权/申请中的印度专利，主持了多项重大科研项目，总经费逾3,000万卢比，包括MeitY资助的芯片到系统设计专项（603.8万卢比）、ISRO资助的硅粒子探测器读出ASIC（324万卢比）及热电器件控制器（950万卢比）等。其团队开发的成果包括：基于动态-体偏置技术的高精度比较器、28nm FD-SOI工艺的CMOS工艺偏差传感器、面向空间应用的抗辐射读出电路，以及高能效热电冷却控制器。指导了10余名博士研究生和30余名硕士研究生的课题研究，并担任IIT Mandi学生事务院长等多项行政职务。